onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.2 A 900 mW, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
124-5411
Herst. Teile-Nr.:
NTR5198NLT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

155mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5.1nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

900mW

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.04mm

Höhe

1.01mm

Breite

1.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V, ON Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor


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