ROHM RE1C002UN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 200 mA 150 mW, 3-Pin SOT-416

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124-6784
Herst. Teile-Nr.:
RE1C002UNTCL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

200mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SOT-416

Serie

RE1C002UN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.8Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

150mW

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

1.7mm

Höhe

0.8mm

Breite

0.96 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM


MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor


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