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ROHM RE1C002UN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 200 mA 150 mW, 3-Pin RE1C002UNTCL SOT-416

RS Best.-Nr.:: 124-6784
Herst. Teile-Nr.:: RE1C002UNTCL
Marke:: ROHM

ROHM RE1C002UN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 200 mA 150 mW, 3-Pin RE1C002UNTCL SOT-416

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Herst. Teile-Nr.:: RE1C002UNTCL
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Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	ROHM
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	200mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Gehäusegröße	SOT-416
	Serie	RE1C002UN
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	4.8Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd	150mW
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	8 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	0.8mm
	Länge	1.7mm
	Breite	0.96 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

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	Marke ROHM
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 200mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Gehäusegröße SOT-416
	Serie RE1C002UN
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.8Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd 150mW
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 8 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 0.8mm
	Länge 1.7mm
	Breite 0.96 mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

ROHM RE1C002UN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 200 mA 150 mW, 3-Pin RE1C002UNTCL SOT-416

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N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM

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