ROHM RU1C001UN N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 100 mA 150 mW, 3-Pin SOT-323

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RS Best.-Nr.:
124-6834
Herst. Teile-Nr.:
RU1C001UNTCL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

100 mA

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

SOT-323

Serie

RU1C001UN

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

18 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1V

Gate-Schwellenspannung min.

0.3V

Verlustleistung max.

150 mW

Gate-Source Spannung max.

–8 V, +8 V

Länge

2.1mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

1.35mm

Höhe

1mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Ursprungsland:
TH

N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM



MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor

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