ROHM RUM001L02 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 100 mA 150 mW, 3-Pin ESM

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RS Best.-Nr.:
124-6838
Herst. Teile-Nr.:
RUM001L02T2CL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

RUM001L02

Gehäusegröße

ESM

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

150mW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

-8V, +8V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

900μm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

1.3mm

Höhe

450μm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM


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