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    ROHM RUM002N05 RUM002N05T2L N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 200 mA 150 mW, 3-Pin SOT-723

    Preis pro Stück (In einer VPE à 60)

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    RS Best.-Nr.:
    124-6840
    Herst. Teile-Nr.:
    RUM002N05T2L
    Marke:
    ROHM

    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.200 mA
    Drain-Source-Spannung max.50 V
    GehäusegrößeSOT-723
    SerieRUM002N05
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.7,2 Ω
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.1V
    Gate-Schwellenspannung min.0.3V
    Verlustleistung max.150 mW
    Gate-Source Spannung max.–8 V, +8 V
    Länge1.2mm
    Breite0.8mm
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Transistor-WerkstoffSi
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Diodendurchschlagsspannung1.2V
    Höhe0.5mm

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