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    Infineon HEXFET IRFP260MPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 50 A 300 W, 3-Pin TO-247AC

    310 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).

    Preis pro Stück (In einer Stange von 25)

    1,728 €

    (ohne MwSt.)

    2,056 €

    (inkl. MwSt.)

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    Pro Stück
    Pro Stange*
    25 - 251,728 €43,20 €
    50 - 1001,469 €36,725 €
    125 - 2251,383 €34,575 €
    250 - 6001,279 €31,975 €
    625 +1,227 €30,675 €

    *Bitte VPE beachten

    Nicht als Expresslieferung erhältlich
    RS Best.-Nr.:
    124-8763
    Herst. Teile-Nr.:
    IRFP260MPBF
    Marke:
    Infineon

    Ursprungsland:
    CN
    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.50 A
    Drain-Source-Spannung max.200 V
    GehäusegrößeTO-247AC
    SerieHEXFET
    Montage-TypTHT
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.40 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.4V
    Gate-Schwellenspannung min.2V
    Verlustleistung max.300 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Breite5.2mm
    Länge16.13mm
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Gate-Ladung typ. @ Vgs234 nC @ 10 V
    Transistor-WerkstoffSi
    Höhe21.1mm
    Betriebstemperatur min.–55 °C

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