Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 80 V / 170 A 310 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 124-9010
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP2907ZPBF
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 3,244 € | 81,10 € |
| 50 - 100 | 2,66 € | 66,50 € |
| 125 - 225 | 2,498 € | 62,45 € |
| 250 - 475 | 2,40 € | 60,00 € |
| 500 + | 2,303 € | 57,58 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 124-9010
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP2907ZPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 170A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 310W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 180nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.3 mm | |
| Höhe | 20.3mm | |
| Länge | 15.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 170A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 310W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 180nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.3 mm | ||
Höhe 20.3mm | ||
Länge 15.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MX
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon
Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
MOSFET-Transistoren, Infineon
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