Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 180 A 370 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 124-9026
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLB4030PBF
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 370W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 87nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.83mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 9.02mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 370W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 87nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.83mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 9.02mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MX
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 180 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRLB4030PBF
Dieser N-Kanal-Verbesserungs-MOSFET ist ein Hochstrom-Leistungsschalter, der für die Durchsteckmontage in TO-220-Gehäusen entwickelt wurde und für anspruchsvolle Leistungsumwandlungs- und Schaltanwendungen ausgelegt ist. Er arbeitet über einen breiten thermischen Bereich und unterstützt eine gate-gesteuerte Steuerung für eine effiziente Leitung in Gleichstromkreisen, bei denen ein geringer Einschaltwiderstand und eine hohe Gleichstrombelastbarkeit erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 4 mΩ für geringere Leitungsverluste
• Bewältigt einen kontinuierlichen Ablassstrom von 180 A für Hochlastanwendungen
• Bemessungs-Drain-Source-Spannung 100 V für Mittelspannungssysteme
• Maximale Verlustleistung von 370 W für dauerhafte thermische Belastung
• Typische Gate-Ladung von 87 nC ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• Gate-Source-Beständigkeit bis zu 16 V für robuste Antriebsmarge
• Bewältigt einen kontinuierlichen Ablassstrom von 180 A für Hochlastanwendungen
• Bemessungs-Drain-Source-Spannung 100 V für Mittelspannungssysteme
• Maximale Verlustleistung von 370 W für dauerhafte thermische Belastung
• Typische Gate-Ladung von 87 nC ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• Gate-Source-Beständigkeit bis zu 16 V für robuste Antriebsmarge
Anwendungsbereiche
• Geeignet für Hochstrom-Motorantriebsstufen
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Verwendung mit Batteriemanagement und DC/DC-Wandlern
• Kann zum Schalten von industriellen Wechselrichtern verwendet werden
• Geeignet für Telekommunikations-Stromverteiler
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Verwendung mit Batteriemanagement und DC/DC-Wandlern
• Kann zum Schalten von industriellen Wechselrichtern verwendet werden
• Geeignet für Telekommunikations-Stromverteiler
Welche thermischen Extreme kann er während des Betriebs tolerieren?
Das Gerät ist für den Betrieb zwischen -55 °C und 175 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz sowohl bei Kaltstartbedingungen als auch bei erhöhten Temperaturen in der Nähe von Wärmequellen.
Wie sollte es montiert werden, um die Wärme effektiv zu bewältigen?
Er wird in einem TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das eine sichere Verschraubung an Kühlkörpern ermöglicht und eine direkte Wärmeleitung vom Gehäuse für eine verbesserte Kühlung ermöglicht.
Welche Schalteigenschaften beeinflussen die Auswahl des Gate-Treibers?
Mit einer typischen Gesamt-Gate-Ladung von 87 nC müssen Treiberschaltungen ausreichend Spitzenstrom für die gewünschten Übergangszeiten liefern und gleichzeitig Schaltverluste bewältigen.
Welches Verhalten des Gehäuses und des Kanals beeinflusst die Wahl der Schaltungstopologie?
Als N-Kanal-Verbesserungsgerät leitet es, wenn es positiv am Gate in Bezug auf die Quelle angetrieben wird, womit es für Low-Side-Schalt- und synchrone Topologien geeignet ist.
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