Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 195 A 366 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 124-9048
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP7430PBF
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 1,449 € | 36,23 € |
| 50 - 100 | 1,409 € | 35,23 € |
| 125 - 225 | 1,372 € | 34,30 € |
| 250 - 475 | 1,337 € | 33,43 € |
| 500 + | 1,304 € | 32,60 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 124-9048
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP7430PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 195A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 460nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 366W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 15.87mm | |
| Breite | 5.31 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 20.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 195A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie StrongIRFET | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 460nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 366W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 15.87mm | ||
Breite 5.31 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 20.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MX
Leistungs-MOSFET StrongIRFET™, Infineon
Die Infineon-StrongIRFET-Familie ist optimiert für geringe RDS(ein) und hohe Strombelastbarkeit. Dieses Portfolio bietet eine verbesserte Robustheit am Gate, gegen Lawinendurchschlag und gegen dynamische dv/dt und ist damit ideal für industrielle Anwendungen mit niedriger Frequenz wie Motorantriebe, Elektrowerkzeuge, Wechselrichter und das Batteriemanagement, wo Leistung und Robustheit von zentraler Bedeutung sind.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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