IXYS Trench Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 110 A 694 W, 3-Pin TO-247

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

8,17 €

(ohne MwSt.)

9,72 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 11 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 48,17 €
5 - 97,52 €
10 - 247,07 €
25 - 496,09 €
50 +5,83 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
125-8047
Distrelec-Artikelnummer:
302-53-421
Herst. Teile-Nr.:
IXTH110N25T
Marke:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

110A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Serie

Trench

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

24mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

694W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

157nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

16.26mm

Höhe

21.46mm

Breite

5.3 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal Trench-Gate Leistungs-MOSFET, IXYS


Trench-Gate MOSFET-Technologie

Niedriger Durchlasswiderstand RDS(ein)

Überlegene Stoßentladungsbeständigkeit

MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Verwandte Links