IXYS Trench Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 110 A 694 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 168-4583
- Herst. Teile-Nr.:
- IXTH110N25T
- Marke:
- IXYS
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- Herst. Teile-Nr.:
- IXTH110N25T
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 110A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | Trench | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 24mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 157nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 694W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 16.26mm | |
| Breite | 5.3 mm | |
| Höhe | 21.46mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 110A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie Trench | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 24mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 157nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 694W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 16.26mm | ||
Breite 5.3 mm | ||
Höhe 21.46mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal Trench-Gate Leistungs-MOSFET, IXYS
Trench-Gate MOSFET-Technologie
Niedriger Durchlasswiderstand RDS(ein)
Überlegene Stoßentladungsbeständigkeit
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS