Infineon DirectFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 198 A 96 W, 4-Pin MX

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

4,33 €

(ohne MwSt.)

5,152 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 54 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 182,165 €4,33 €
20 - 481,945 €3,89 €
50 - 981,82 €3,64 €
100 - 1981,685 €3,37 €
200 +1,575 €3,15 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
130-0965
Herst. Teile-Nr.:
IRF7946TRPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

198A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

DirectFET

Gehäusegröße

MX

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

96W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

141nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5.05 mm

Höhe

0.53mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.35mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET StrongIRFET™, Infineon


Die Infineon-StrongIRFET-Familie ist optimiert für geringe RDS(ein) und hohe Strombelastbarkeit. Dieses Portfolio bietet eine verbesserte Robustheit am Gate, gegen Lawinendurchschlag und gegen dynamische dv/dt und ist damit ideal für industrielle Anwendungen mit niedriger Frequenz wie Motorantriebe, Elektrowerkzeuge, Wechselrichter und das Batteriemanagement, wo Leistung und Robustheit von zentraler Bedeutung sind.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Verwandte Links