Infineon HEXFET IRF8010STRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 80 A 260 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 130-0966
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF8010STRLPBF
- Marke:
- Infineon
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- 130-0966
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF8010STRLPBF
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- Infineon
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Produktdetails
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon
Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 80 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Serie | HEXFET |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 15 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 260 W |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 9.65mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 81 nC @ 10 V |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Länge | 10.67mm |
| Höhe | 4.83mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.3V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
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