Infineon HEXFET IRFH5250DTRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 156 W, 8-Pin PQFN 5 x 6

RS Best.-Nr.:: 130-0979
Herst. Teile-Nr.:: IRFH5250DTRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRFH5250DTRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 156 W, 8-Pin PQFN 5 x 6

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Preis pro Stück (In einer VPE à 5)

1,72 €

(ohne MwSt.)

2,05 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 20	1,72 €	8,60 €
25 - 45	1,634 €	8,17 €
50 - 120	1,548 €	7,74 €
125 - 245	1,466 €	7,33 €
250 +	1,408 €	7,04 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 130-0979
Herst. Teile-Nr.:: IRFH5250DTRPBF
Marke:: Infineon

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Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 12 V bis 25 V, Infineon

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	100 A
Drain-Source-Spannung max.	25 V
Gehäusegröße	PQFN 5 x 6
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	2,2 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.35V
Gate-Schwellenspannung min.	1.35V
Verlustleistung max.	156 W
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	6mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	83 nC @ 10 V
Breite	5mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	0.85mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1V