Infineon OptiMOS™ 5 BSC009NE2LS5IATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 74 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

RS Best.-Nr.:: 133-6577
Herst. Teile-Nr.:: BSC009NE2LS5IATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 5 BSC009NE2LS5IATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 74 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

Voraussichtlich ab 08.07.2025 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 5000)

0,788 €

(ohne MwSt.)

0,938 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
5000 +	0,788 €	3.940,00 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 133-6577
Herst. Teile-Nr.:: BSC009NE2LS5IATMA1
Marke:: Infineon

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	100 A
Drain-Source-Spannung max.	25 V
Serie	OptiMOS™ 5
Gehäusegröße	SuperSO8 5 x 6
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	1,35 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2V
Gate-Schwellenspannung min.	1.2V
Verlustleistung max.	74 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	+16 V
Breite	6.35mm
Länge	5.49mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	36 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	1.1mm
Diodendurchschlagsspannung	0.62V
Betriebstemperatur min.	–55 °C