Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 100 A 74 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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RS Best.-Nr.:
133-9881
Herst. Teile-Nr.:
BSC009NE2LS5IATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Serie

OptiMOS 5

Gehäusegröße

SuperSO8 5 x 6

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.95mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

74W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.62V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS, JESD22, JEDEC J-STD20, IEC61249-2-21

Länge

5.49mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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