Infineon Halbbrücke OptiMOS-TM6 Typ N-Kanal Leistungs-MOSFET 40 V N / 60 A 75 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- RS Best.-Nr.:
- 249-6889
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUC60N04S6L030HATMA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | OptiMOS-TM6 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 75W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 27nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Halbbrücke | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie OptiMOS-TM6 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 75W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Halbbrücke | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon OptiMOS ist ein Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen. Der Betriebskanal ist N. Er ist AEC Q101-qualifiziert. MSL1 bis 260 °C Spitzenreflow. Grünes Produkt (RoHS-konform) und 100 % Lawinengeprüft.
175 °C Betriebstemperatur
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