Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterung 200 V / 44 A 136 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- RS Best.-Nr.:
- 762-982
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC300N20NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
1,97 €
(ohne MwSt.)
2,34 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 4.450 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,97 € |
| 10 - 24 | 1,66 € |
| 25 - 99 | 1,03 € |
| 100 - 499 | 1,00 € |
| 500 + | 0,97 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 762-982
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC300N20NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 44A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | SuperSO8 5 x 6 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 30mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 136W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Länge | 6.1mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 44A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 30mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 136W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.2mm | ||
Länge 6.1mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der OptiMOS 6-Leistungstransistor von Infineon ist ein 200-V-N-Kanal-Gerät, das für effiziente Stromanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine minimale umgekehrte Erholungsladung (Qrr) aus. Darüber hinaus erfüllt es die RoHS-Normen, ist halogenfrei und gemäß J-STD-020 als MSL 1 klassifiziert.
100 % Avalanche-getestet
175 °C Betriebstemperatur
Hohe Lawinenenergie
Bleifreie Bleibeschichtung
Verwandte Links
- Infineon Halbbrücke OptiMOS-TM6 Typ N-Kanal Leistungs-MOSFET 40 V Erweiterung / 60 A 75 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon Halbbrücke OptiMOS-TM6 Typ N-Kanal Leistungs-MOSFET 40 V N / 60 A 75 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal 8-Pin SuperSO8 5 x 6
