Vishay SIR158DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 60 A 83 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

RS Best.-Nr.:: 134-9718
Herst. Teile-Nr.:: SIR158DP-T1-RE3
Marke:: Vishay

Vishay SIR158DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 60 A 83 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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Herst. Teile-Nr.:: SIR158DP-T1-RE3
Marke:: Vishay

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

N-Kanal MOSFET, TrenchFET bis Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	60 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	PowerPAK SO-8
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	2,3 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
Gate-Schwellenspannung min.	1.2V
Verlustleistung max.	83 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	5.26mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	6.25mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	87 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	1.12mm
Diodendurchschlagsspannung	1.1V
Betriebstemperatur min.	–55 °C