Vishay SiR692DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 24.2 A 104 W, 8-Pin SO-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

8,50 €

(ohne MwSt.)

10,10 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 6.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 451,70 €8,50 €
50 - 1201,446 €7,23 €
125 - 2451,258 €6,29 €
250 - 4951,038 €5,19 €
500 +0,814 €4,07 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
134-9731
Herst. Teile-Nr.:
SIR692DP-T1-RE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

SiR692DP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

67mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25.3nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.12mm

Länge

6.25mm

Breite

5.26 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, TrenchFET bis Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links