Vishay SQ Rugged Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 11 A 46 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
145-2756
Herst. Teile-Nr.:
SQD19P06-60L_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

SQ Rugged

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

125mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.5V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27nC

Maximale Verlustleistung Pd

46W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.38mm

Breite

6.22 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
TW

P-Kanal-MOSFET, SQ robuste Serie, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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