Teile-Nr.

Vishay SQ Rugged Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 40 A 75 W, 3-Pin SQD40N06-14L_GE3 TO-252

RS Best.-Nr.:: 787-9484
Herst. Teile-Nr.:: SQD40N06-14L_GE3
Marke:: Vishay

Vishay SQ Rugged Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 40 A 75 W, 3-Pin SQD40N06-14L_GE3 TO-252

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5 - 45	1,78 €	8,90 €
50 - 120	1,604 €	8,02 €
125 - 245	1,514 €	7,57 €
250 - 495	1,426 €	7,13 €
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RS Best.-Nr.:: 787-9484
Herst. Teile-Nr.:: SQD40N06-14L_GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	40A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	SQ Rugged
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	29mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	75W
	Gate-Source-spannung max Vgs	±20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	34nC
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	6.73mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	2.38mm
	Breite	6.22 mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie SQ Rugged
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 29mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 75W
	Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 34nC
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 6.73mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 2.38mm
	Breite 6.22 mm
	Automobilstandard AEC-Q101

N-Kanal MOSFET, Serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor

Die MOSFETs der Serie SQ von Vishay Semiconductor wurden für alle Kfz Anwendungen entwickelt, die Robustheit und hohe Zuverlässigkeit erfordern.

Vorteile von MOSFETs der Serie SQ Rugged

• AEC-Q101-qualifiziert

• Anschlusstemperatur: bis zu +175 °C

• N- und P-Kanal-TrenchFET®-Technologien mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand

• Innovative platzsparende Gehäuseoptionen

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Approvals

AEC-Q101