Vishay SQ Rugged N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 136 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 170-8410
- Herst. Teile-Nr.:
- SQD100N04-3M6L_GE3
- Marke:
- Vishay
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 170-8410
- Herst. Teile-Nr.:
- SQD100N04-3M6L_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Serie | SQ Rugged | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 7 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.5V | |
| Verlustleistung max. | 136 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 6.22mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 85 nC @ 10 V | |
| Länge | 6.73mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 2.38mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 100 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Serie SQ Rugged | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 7 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.5V | ||
Verlustleistung max. 136 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 6.22mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 85 nC @ 10 V | ||
Länge 6.73mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 2.38mm | ||
- Ursprungsland:
- TW
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