Vishay SQ Rugged N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 40 A 75 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 919-4255
- Herst. Teile-Nr.:
- SQD40N06-14L-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 919-4255
- Herst. Teile-Nr.:
- SQD40N06-14L-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | SQ Rugged | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 29mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 75W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 34nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.22mm | |
| Höhe | 2.38mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie SQ Rugged | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 29mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 75W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 34nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.22mm | ||
Höhe 2.38mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
N-Kanal MOSFET, Serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor
Die MOSFETs der Serie SQ von Vishay Semiconductor wurden für alle Kfz Anwendungen entwickelt, die Robustheit und hohe Zuverlässigkeit erfordern.
Vorteile von MOSFETs der Serie SQ Rugged
• AEC-Q101-qualifiziert
• Anschlusstemperatur: bis zu +175 °C
• N- und P-Kanal-TrenchFET®-Technologien mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
• Innovative platzsparende Gehäuseoptionen
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Approvals
AEC-Q101
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