onsemi Einfach QFET N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 100 V Erweiterung / 43 A 146 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 145-4306
- Herst. Teile-Nr.:
- FQP44N10
- Marke:
- onsemi
Eingestellt
- RS Best.-Nr.:
- 145-4306
- Herst. Teile-Nr.:
- FQP44N10
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 43A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | QFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 39mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 146W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V, -25V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Länge | 10.1mm | |
| Höhe | 9.4mm | |
| Breite | 4.7mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 43A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie QFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 39mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 146W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V, -25V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Länge 10.1mm | ||
Höhe 9.4mm | ||
Breite 4.7mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
- Ursprungsland:
- CN
QFET® N-Kanal MOSFET, über 31 A, Fairchild Semiconductor
Die neuen QFET® Planar-MOSFETs von FairFairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie, um die beste Betriebsleistung für eine Vielzahl von Anwendungen zu bieten, einschließlich Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasma-Anzeigetafeln (PDP), Beleuchtungsvorrichtungen und Bewegungssteuerung.
Sie bieten einen reduzierten Einschaltverlust durch Senkung des Einschaltwiderstands (RDS(on)), und einen reduzierten Schaltverlust durch Senkung der Gate-Ladung (Qg) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch den Einsatz der Advanced QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild eine verbesserte Leistung (FOM) gegenüber konkurrierenden Planar-MOSFET-Geräten bieten.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
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Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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