onsemi Isoliert PowerTrench Typ N, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 1.2 A 360 mW, 6-Pin US
- RS Best.-Nr.:
- 145-5680
- Herst. Teile-Nr.:
- FDG1024NZ
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | US | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 259mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.8nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 360mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Länge | 2mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 1.25mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße US | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 259mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.8nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 360mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Länge 2mm | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 1.25mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
PowerTrench® Dual-N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor
ON-PowerTrench®-MOSFETs von Semis sind optimierte Leistungsschalter, die eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine kleine Gate-Ladung, eine kleine Rückwärtserholung und eine weiche Rückwärtserholungsdiode, um zum schnellen Schalten der synchronen Gleichrichtung in AC/DC-Netzteilen beizutragen.
Die Weichkörper-Diodenleistung der PowerTrench®-MOSFETs ist in der Lage, Snubber-Schaltkreise zu beseitigen oder einen MOSFET mit höherer Nennspannung zu ersetzen.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
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Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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