- RS Best.-Nr.:
- 864-8142
- Herst. Teile-Nr.:
- FDG1024NZ
- Marke:
- onsemi
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Produktdetails
Zweifach-N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Bei Semis PowerTrench ® MOSFETs handelt es sich um optimierte Leistungsschaltgeräte, die eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine kleine Gate-Ladung, eine kleine Rückkehr-Rückgewinnung und eine weiche Rückgewinnungs-Gehäusediode, um zu einem schnellen Schalten der synchronen Gleichrichtung in AC/DC-Netzteilen beizutragen.
Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden.
Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 1,2 A |
Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
Gehäusegröße | SOT-363 |
Serie | PowerTrench |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 6 |
Drain-Source-Widerstand max. | 259 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung min. | 0.4V |
Verlustleistung max. | 300 mW, 360 mW |
Transistor-Konfiguration | Isoliert |
Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
Breite | 1.25mm |
Länge | 2mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 1,8 nC @ 4,5 V |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
Höhe | 1mm |
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