Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 20 A 151 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
145-8600
Herst. Teile-Nr.:
IPW60R190P6FKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

CoolMOS P6

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

190mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Verlustleistung Pd

151W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

37nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

21.1mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

16.13mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY

Leistungs-MOSFET Infineon Serie CoolMOS™E6/P6


MOSFETs der Serie Infineon CoolMOS E6 und P6. Diese äußerst effizienten Geräte können in verschiedenen Anwendungen wie der Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Beleuchtung und Verbrauchergeräten sowie für Solartechnik, Telekommunikation und Server verwendet werden.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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