DiodesZetex DMT6016LSS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 11.9 A 2.1 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
146-0596
Herst. Teile-Nr.:
DMT6016LSS-13
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

DMT6016LSS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

28mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.7V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17nC

Maximale Verlustleistung Pd

2.1W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

4.95mm

Breite

3.95 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.5mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-MOSFET, 40 V bis 90 V, Diodes Inc


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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