IXYS HiperFET N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 90 A 1,79 kW, 3-Pin PLUS264

RS Best.-Nr.:: 146-4383
Distrelec-Artikelnummer:: 302-53-305
Herst. Teile-Nr.:: IXFB90N85X
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 90 A 1,79 kW, 3-Pin PLUS264

Preis pro Stück**

36,62 €

(ohne MwSt.)

43,58 €

(inkl. MwSt.)

Voraussichtlich ab 20.01.2026 verfügbar.*

* Die Liefertermine können sich je nach gewählter Menge und Lieferadresse ändern.

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Stück	Pro Stück
1 - 4	36,62 €
5 - 9	34,80 €
10 +	33,88 €

**Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 146-4383
Distrelec-Artikelnummer:: 302-53-305
Herst. Teile-Nr.:: IXFB90N85X
Marke:: IXYS

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	90 A
Drain-Source-Spannung max.	850 V
Serie	HiperFET
Gehäusegröße	PLUS264
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	41 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5.5V
Gate-Schwellenspannung min.	3.5V
Verlustleistung max.	1,79 kW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±30 V
Länge	20.29mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	340 @ 10 V nC
Breite	5.31mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	26.59mm
Diodendurchschlagsspannung	1.4V

IXYS HiperFET N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 90 A 1,79 kW, 3-Pin PLUS264

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Verwandte Produkte