Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -20 V / -5.6 A 4.15 W, 3-Pin PMV27UPEAR SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 153-1876
- Herst. Teile-Nr.:
- PMV27UPEAR
- Marke:
- Nexperia
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| 250 - 600 | 0,19 € | 4,75 € |
| 625 - 1225 | 0,176 € | 4,40 € |
| 1250 - 2475 | 0,171 € | 4,28 € |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 153-1876
- Herst. Teile-Nr.:
- PMV27UPEAR
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -5.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -20V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 63mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 4.15W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14.7nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Länge | 3mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -5.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -20V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 63mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 4.15W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14.7nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.4 mm | ||
Länge 3mm | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
P-Kanal-MOSFETs sind die perfekte Lösung für Ihre Konstruktion, wenn N-Kanäle einfach nicht geeignet sind. Unser umfangreicher MOSFET-Katalog enthält auch viele P-Kanal-Gerätefamilien, die auf der führenden Trench-Technologie von Nexperia basieren. Mit Nennspannungen von 12 V bis 70 V und in Niedrig- und Mittelspannungsgehäusen untergebracht bieten sie unsere gewohnte Mischung aus hoher Effizienz und Zuverlässigkeit.
P-Kanal-Trench-MOSFET für 20 V, P-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie.
Trench MOSFET-Technologie
Niedrige Schwellenspannung
Sehr schnelle Schaltung
Verbessertes Verlustleistungsvermögen: Ptot = 980 mW
Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): 2 kV HBM
AEC-Q101-qualifiziert
LED-Treiber
Ausschalten
High-Side-Lastschalter
Schalten von Stromkreisen
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