Vishay SUP57N20-33 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 57 A 3.75 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 165-2816
- Herst. Teile-Nr.:
- SUP57N20-33-E3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
112,50 €
(ohne MwSt.)
134,00 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 200 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 2,25 € | 112,50 € |
| 100 - 200 | 2,115 € | 105,75 € |
| 250 + | 1,912 € | 95,60 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 165-2816
- Herst. Teile-Nr.:
- SUP57N20-33-E3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 57A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | SUP57N20-33 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 33mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 90nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.75W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Breite | 4.7 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.41mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 57A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie SUP57N20-33 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 33mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 90nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.75W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 9.01mm | ||
Breite 4.7 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.41mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW
N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay SUP57N20-33 Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- onsemi QFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-263
- Vishay SUM45N25-58 Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Nexperia Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Vishay SUM110P06-08L Typ P-Kanal 3-Pin TO-263
- Vishay SUM55P06-19L Typ P-Kanal 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics STO67N60DM6 Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
