Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 2.6 A 2.8 W, 4-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
165-5560
Herst. Teile-Nr.:
IRFL4315TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

185mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

2.8W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.8mm

Länge

6.7mm

Breite

3.7 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 2,6A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 2,8W maximale Verlustleistung - IRFL4315TRPBF


Dieser MOSFET eignet sich für Leistungsanwendungen und bietet eine solide Leistung und erhöhte Zuverlässigkeit in verschiedenen Umgebungen. Als Schlüsselkomponente in Schaltanwendungen ermöglicht sie eine effiziente Steuerung der Leistungsabgabe. Durch sein oberflächenmontiertes Design eignet er sich gut für Hochleistungsschaltungen, die eine niedrige Gate-to-Drain-Ladung erfordern, wodurch Schaltverluste minimiert werden, was für Anwender in der Automatisierungs- und Elektronikindustrie von Vorteil ist.

Eigenschaften und Vorteile


• Kontinuierlicher Ableitstrom von 2,6 A für eine Reihe von Anwendungen

• Maximale Drain-Source-Spannung von 150 V erleichtert den Betrieb mit hoher Leistung

• Niedriger Rds(on) von 185mΩ verbessert die Energieeffizienz

• Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +150°C für zuverlässige Leistung

• Optimierte Gate-Schwellenspannung für einfacheren Schaltungsentwurf

• Vollständig charakterisierte Lawineneigenschaften bieten zusätzlichen Schutz

Anwendungsbereich


• Hochfrequenz-DC-DC-Wandler

• Energiemanagementsysteme für mehr Effizienz

• Schaltnetzteile für mehr Leistung

Welche Bedeutung hat der niedrige Rds(on)-Wert?


Ein niedriger Rds(on) verringert die Leistungsverluste während des Betriebs und verbessert die Gesamteffizienz bei verschiedenen Anwendungen.

Wie wirkt sich der große Temperaturbereich auf die Nutzung aus?


Der weite Betriebstemperaturbereich sorgt für eine zuverlässige Leistung unter extremen Bedingungen und macht das Gerät für verschiedene Umgebungen geeignet.

Kann es sowohl für Hoch- als auch für Niederfrequenzanwendungen verwendet werden?


Ja, er eignet sich sowohl für Hochfrequenz-DC-DC-Wandler als auch für Anwendungen, die ein Schalten mit niedrigen Frequenzen erfordern.

Was ist bei der Installation zu beachten?


Um die Leistung während der Installation zu optimieren, sollten die richtige Schaltungsanordnung und das Wärmemanagement berücksichtigt werden.

Welchen Einfluss hat die Gate-Schwellenspannung auf die Schaltungsentwicklung?


Die Gate-Schwellenspannung ermöglicht eine bessere Kontrolle des Schaltverhaltens und erleichtert die Entwicklung der Treiberschaltung.

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