Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 18 A 150 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
165-5658
Herst. Teile-Nr.:
IRF640NSTRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

150mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

67nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

9.65 mm

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.83mm

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 18A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 150W maximale Verlustleistung - IRF640NSTRLPBF


Dieser MOSFET ist für ein effizientes Energiemanagement in verschiedenen Anwendungen unerlässlich und steuert den Stromfluss in Schaltkreisen, um Leistung und Zuverlässigkeit zu gewährleisten. Durch seine robusten Spezifikationen eignet er sich besonders für Automatisierungs- und Elektroniksysteme in der modernen Elektronik.

Eigenschaften und Vorteile


• N-Kanal-Konfiguration unterstützt Anreicherungsmodusbetrieb

• Maximaler kontinuierlicher Ableitstrom von 18 A

• Drain-Source-Spitzenspannung von 200 V für vielfältige Anwendungen

• D2PAK-Gehäuse für einfache Oberflächenmontage

• Niedriger Rds(on) von 150mΩ reduziert den Energieverlust während des Betriebs

• Hohe maximale Betriebstemperatur von +175°C für verschiedene Umgebungen

Anwendungsbereich


• Leistungsmanagement in der Automobilelektronik

• Industrielle Stromversorgungen für Automatisierungssysteme

• Motorsteuerung über verschiedene Sektoren hinweg

• Erneuerbare Energiesysteme für die Energieumwandlung

• Entwürfe für Hochfrequenz-Wechselrichter

Was ist die maximale Drain-Source-Spannung?


Die maximale Drain-Source-Spannung beträgt 200 V und bietet somit Flexibilität für Hochspannungsanwendungen.

Wie wird die Wärmeabfuhr während des Betriebs geregelt?


Dieser MOSFET bietet eine Verlustleistung von 150 W, und sein Gehäusedesign fördert ein effektives Wärmemanagement bei hohen Lasten.

Welche Auswirkungen hat der Bereich der Gate-Schwellenspannung?


Mit einer maximalen Gate-Schwellenspannung von 4 V und einer minimalen Spannung von 2 V bietet er Ingenieuren einen vielseitigen Bereich für Schaltanwendungen.

Kann diese Komponente in parallelen Konfigurationen verwendet werden?


Ja, er kann aufgrund seines geringen On-Widerstands problemlos parallel geschaltet werden und eignet sich daher für Hochstromanwendungen.

Wie sollte es für eine optimale Leistung gelötet werden?


Die Löttemperatur sollte 300°C für 10 Sekunden nicht überschreiten, um eine ordnungsgemäße Installation zu gewährleisten, ohne den MOSFET zu beschädigen.

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