Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 18 A 100 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 130-1000
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-36-991
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS4020TRLPBF
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 105mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.83 mm | |
| Höhe | 9.65mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 105mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.83 mm | ||
Höhe 9.65mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 18A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 100W maximale Verlustleistung - IRFS4020TRLPBF
Dieser MOSFET wurde für eine optimierte Leistung in Class-D-Audioverstärkeranwendungen entwickelt. Fortschrittliche Verarbeitungstechniken sorgen für einen niedrigen Durchlasswiderstand und verbessern gleichzeitig den Wirkungsgrad, die Gesamtverzerrung (THD) und die elektromagnetische Interferenz (EMI). Es funktioniert auch bei hohen Temperaturen und ist daher für verschiedene Umgebungen geeignet.
Eigenschaften und Vorteile
• Entwickelt für hocheffiziente Class-D-Audioverstärkung
• Niedriger Rds(on) verbessert die Gesamteffizienz
• Robustheit durch Sperrschichttemperaturen von bis zu 175°C
• Die Fähigkeit zur wiederholten Avalanche schützt vor Spannungsspitzen
Anwendungsbereich
• Einsatz in Class-D-Audioverstärkern zur Verbesserung der Klangqualität
• Ideal für Hochstromversorgung
• Geeignet für private und professionelle Audiogeräte
• Eingesetzt in Hochleistungs-Audiosystemen für Kraftfahrzeuge
Wie hoch ist der maximale kontinuierliche Ableitstrom?
Der Baustein kann einen maximalen kontinuierlichen Drainstrom von 18A bei 25°C verarbeiten.
Kann dieses Gerät bei hohen Temperaturen betrieben werden?
Ja, es ist so konzipiert, dass es bei Temperaturen von bis zu 175 °C effektiv funktioniert.
In welchen Konfigurationen kann es verwendet werden?
Er eignet sich für Halbbrücken-Konfigurationen in Audioverstärkern und liefert beachtliche Ausgangsleistungen.
Wie wirkt sich eine niedrige Gate-Ladung auf die Leistung aus?
Die niedrige Gate-Ladung erhöht den Wirkungsgrad und verkürzt die Einschaltzeit, wodurch die Gesamtleistung des Verstärkers verbessert wird.
Ist sie mit der Oberflächenmontagetechnik kompatibel?
Ja, dieses Gerät ist in einem D2PAK-Formfaktor verpackt, der ideal für oberflächenmontierte Anwendungen ist.
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