Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 18 A 100 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
168-6013
Herst. Teile-Nr.:
IRFS4020TRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

105mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

9.65mm

Breite

4.83 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.67mm

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 18A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 100W maximale Verlustleistung - IRFS4020TRLPBF


Dieser MOSFET wurde für eine optimierte Leistung in Class-D-Audioverstärkeranwendungen entwickelt. Fortschrittliche Verarbeitungstechniken sorgen für einen niedrigen Durchlasswiderstand und verbessern gleichzeitig den Wirkungsgrad, die Gesamtverzerrung (THD) und die elektromagnetische Interferenz (EMI). Es funktioniert auch bei hohen Temperaturen und ist daher für verschiedene Umgebungen geeignet.

Eigenschaften und Vorteile


• Entwickelt für hocheffiziente Class-D-Audioverstärkung

• Niedriger Rds(on) verbessert die Gesamteffizienz

• Robustheit durch Sperrschichttemperaturen von bis zu 175°C

• Die Fähigkeit zur wiederholten Avalanche schützt vor Spannungsspitzen

Anwendungsbereich


• Einsatz in Class-D-Audioverstärkern zur Verbesserung der Klangqualität

• Ideal für Hochstromversorgung

• Geeignet für private und professionelle Audiogeräte

• Eingesetzt in Hochleistungs-Audiosystemen für Kraftfahrzeuge

Wie hoch ist der maximale kontinuierliche Ableitstrom?


Der Baustein kann einen maximalen kontinuierlichen Drainstrom von 18A bei 25°C verarbeiten.

Kann dieses Gerät bei hohen Temperaturen betrieben werden?


Ja, es ist so konzipiert, dass es bei Temperaturen von bis zu 175 °C effektiv funktioniert.

In welchen Konfigurationen kann es verwendet werden?


Er eignet sich für Halbbrücken-Konfigurationen in Audioverstärkern und liefert beachtliche Ausgangsleistungen.

Wie wirkt sich eine niedrige Gate-Ladung auf die Leistung aus?


Die niedrige Gate-Ladung erhöht den Wirkungsgrad und verkürzt die Einschaltzeit, wodurch die Gesamtleistung des Verstärkers verbessert wird.

Ist sie mit der Oberflächenmontagetechnik kompatibel?


Ja, dieses Gerät ist in einem D2PAK-Formfaktor verpackt, der ideal für oberflächenmontierte Anwendungen ist.

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