Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 18 A 100 W, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 168-6013
Herst. Teile-Nr.:: IRFS4020TRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 18 A 100 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:: 168-6013
Herst. Teile-Nr.:: IRFS4020TRLPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	18A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	200V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	105mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	18nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Verlustleistung Pd	100W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	10.67mm
	Höhe	9.65mm
	Breite	4.83 mm
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 200V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 105mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Verlustleistung Pd 100W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 10.67mm
	Höhe 9.65mm
	Breite 4.83 mm
	Automobilstandard Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 18A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 100W maximale Verlustleistung - IRFS4020TRLPBF

Dieser MOSFET wurde für eine optimierte Leistung in Class-D-Audioverstärkeranwendungen entwickelt. Fortschrittliche Verarbeitungstechniken sorgen für einen niedrigen Durchlasswiderstand und verbessern gleichzeitig den Wirkungsgrad, die Gesamtverzerrung (THD) und die elektromagnetische Interferenz (EMI). Es funktioniert auch bei hohen Temperaturen und ist daher für verschiedene Umgebungen geeignet.

Eigenschaften und Vorteile

• Entwickelt für hocheffiziente Class-D-Audioverstärkung

• Niedriger Rds(on) verbessert die Gesamteffizienz

• Robustheit durch Sperrschichttemperaturen von bis zu 175°C

• Die Fähigkeit zur wiederholten Avalanche schützt vor Spannungsspitzen

Anwendungsbereich

• Einsatz in Class-D-Audioverstärkern zur Verbesserung der Klangqualität

• Ideal für Hochstromversorgung

• Geeignet für private und professionelle Audiogeräte

• Eingesetzt in Hochleistungs-Audiosystemen für Kraftfahrzeuge

Wie hoch ist der maximale kontinuierliche Ableitstrom?

Der Baustein kann einen maximalen kontinuierlichen Drainstrom von 18A bei 25°C verarbeiten.

Kann dieses Gerät bei hohen Temperaturen betrieben werden?

Ja, es ist so konzipiert, dass es bei Temperaturen von bis zu 175 °C effektiv funktioniert.

In welchen Konfigurationen kann es verwendet werden?

Er eignet sich für Halbbrücken-Konfigurationen in Audioverstärkern und liefert beachtliche Ausgangsleistungen.

Wie wirkt sich eine niedrige Gate-Ladung auf die Leistung aus?

Die niedrige Gate-Ladung erhöht den Wirkungsgrad und verkürzt die Einschaltzeit, wodurch die Gesamtleistung des Verstärkers verbessert wird.

Ist sie mit der Oberflächenmontagetechnik kompatibel?

Ja, dieses Gerät ist in einem D2PAK-Formfaktor verpackt, der ideal für oberflächenmontierte Anwendungen ist.