Infineon OptiMOS BSS123NH6433XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 190 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 165-5732
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS123NH6433XTMA1
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- BSS123NH6433XTMA1
- Marke:
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
OptiMOS™ Kleinsignal-MOSFETs von Infineon
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 190 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Serie | OptiMOS |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 10 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.8V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.8V |
| Verlustleistung max. | 500 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 1.3mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 0,6 nC @ 10 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Länge | 2.9mm |
| Höhe | 1mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 165-5732
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS123NH6433XTMA1
- Marke:
- Infineon
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