Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 72 A 61 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
165-5802
Herst. Teile-Nr.:
IRFI4110GPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

72A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

190nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

61W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.75mm

Höhe

16.13mm

Breite

4.83 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 72A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 61W maximale Verlustleistung - IRFI4110GPBF


Dieser n-Kanal-MOSFET ist für Hochleistungsanwendungen konzipiert und bietet eine effiziente Stromverarbeitung und hohe Spannungstoleranz. Es ist in verschiedenen elektronischen Geräten unverzichtbar und gewährleistet einen robusten Betrieb in schwierigen Umgebungen. Seine Leistung beim Schalten und Wärmemanagement macht ihn zu einem bevorzugten Bauteil in der Automatisierung, Elektronik und Mechanik.

Eigenschaften und Vorteile


• Kontinuierliche Drainstromfähigkeit von 72 A

• Niedriger Rds(on)-Widerstand für verbesserte Betriebseffizienz

• Enhancement-Modus für effektive Leistung

• Maximale Drain-Source-Spannung von 100 V

• Ausgezeichnetes Wärmemanagement bis zu +175°C

• Verbesserte Lawinenbeständigkeit für mehr Zuverlässigkeit

Anwendungsbereich


• Geeignet für hocheffiziente Synchrongleichrichtung

• Ideal für unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme

• Kompatibel mit Hochgeschwindigkeitsstromschaltungen

• Einsatz in hart geschalteten und hochfrequenten Schaltungen

Wie hoch ist der maximale kontinuierliche Ableitstrom für Ihre Anwendung?


Der kontinuierliche Drainstrom beträgt unter optimalen Bedingungen 72 A und ist damit für anspruchsvolle Anwendungen geeignet.

Welche Bedeutung hat die Gate-Schwellenspannung?


Die Gate-Schwellenspannung reicht von 2V bis 4V und ermöglicht eine präzise Steuerung der Schalteigenschaften.

Wie wird die thermische Leistung des MOSFETs gesteuert?


Er hat eine maximale Betriebstemperatur von +175°C, was die Haltbarkeit in Umgebungen mit hohen Temperaturen unterstützt.

Welche Vorteile bietet ein niedriger Rds(on) bei der Geräteleistung?


Ein niedriger Rds(on) verringert die Leistungsverluste beim Schalten und führt zu einer verbesserten Gesamteffizienz.

Kann dieses Produkt Hochfrequenzschaltungen verarbeiten?


Ja, er wurde speziell für hart geschaltete und hochfrequente Anwendungen entwickelt und gewährleistet eine gleichbleibende Leistung.

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