Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 33 A 130 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 165-5894
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF540NSTRLPBF
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 33A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 44mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 71nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 130W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 33A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 44mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 71nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 130W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.83mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MX
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 33A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 130W maximale Verlustleistung - IRF540NSTRLPBF
Dieser Hochleistungs-MOSFET ist für Effizienz und Zuverlässigkeit in einer Vielzahl von Anwendungen ausgelegt. Mit seiner N-Kanal-Konfiguration arbeitet er im Anreicherungsmodus mit einem maximalen kontinuierlichen Drainstrom von 33 A und einer Durchbruchspannung von 100 V. Das oberflächenmontierbare Design ermöglicht eine einfache Integration in Leiterplatten und erhöht die Vielseitigkeit in modernen Anwendungen.
Eigenschaften und Vorteile
• Niedriger Rds(on) von 44mΩ verbessert die Schaltungseffizienz
• Hohe Verlustleistung von 130 W unterstützt robuste Anwendungen
• Schnelle Schaltgeschwindigkeit minimiert den Energieverlust während des Betriebs
• Breiter Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C für unterschiedliche Umgebungen
• Die bleifreie Konstruktion entspricht den heutigen Umweltstandards
Anwendungsbereich
• Energiemanagement in Automatisierungssystemen
• Hocheffiziente Stromversorgungen für die Elektronik
• Motorsteuerung in der Elektrotechnik
• Systeme für erneuerbare Energien zur effektiven Energieumwandlung
Wie hoch ist die maximale Gate-to-Source-Spannung für dieses Bauelement?
Die maximale Gate-to-Source-Spannung beträgt ±20 V, was einen sicheren Betrieb in typischen Schaltungen ermöglicht.
Wie funktioniert das Wärmemanagement dieses Geräts?
Mit einer maximalen Verlustleistung von 130 W und einem Wärmewiderstand von 1,15 °C/W zwischen Sperrschicht und Gehäuse sorgt er für ein effektives Wärmemanagement im Betrieb.
Wie hoch ist die typische Gate-Ladung bei 10 V?
Die typische Gate-Ladung bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V beträgt 71 nC, was schnelle Reaktionszeiten bei Schaltanwendungen gewährleistet.
Kann dieses Gerät auf Standardplatinen montiert werden?
Ja, er ist in einem D2PAK-Gehäuse untergebracht und eignet sich daher für oberflächenmontierte Anwendungen auf Standard-Leiterplattenlayouts.
Was ist die Bedeutung des Anreicherungsmodus in diesem MOSFET?
Der Anreicherungsmodus ermöglicht eine bessere Kontrolle über den Leitungszustand und damit eine bessere Leistung bei Schaltanwendungen.
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