Infineon HEXFET IRF7105TRPBF N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 2,3 A; 3,5 A 2 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 165-5912
Herst. Teile-Nr.:: IRF7105TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRF7105TRPBF N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 2,3 A; 3,5 A 2 W, 8-Pin SOIC

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Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
4000 - 4000	0,253 €	1.012,00 €
8000 +	0,24 €	960,00 €

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RS Best.-Nr.:: 165-5912
Herst. Teile-Nr.:: IRF7105TRPBF
Marke:: Infineon

IRF7105TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N, P
Dauer-Drainstrom max.	2,3 A; 3,5 A
Drain-Source-Spannung max.	25 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	SOIC
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	160 mΩ, 400 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3V
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	2 W
Transistor-Konfiguration	Isoliert
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	5mm
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Gate-Ladung typ. @ Vgs	10 nC @ 10 V, 9,4 nC @ 10 V
Breite	4mm
Höhe	1.5mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Infineon HEXFET IRF7105TRPBF N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 2,3 A; 3,5 A 2 W, 8-Pin SOIC

Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Infineon

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