Vishay SiHF634S Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 8.1 A 74 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 165-6088
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHF634S-GE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
38,80 €
(ohne MwSt.)
46,15 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 19. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,776 € | 38,80 € |
| 100 - 200 | 0,729 € | 36,45 € |
| 250 - 450 | 0,66 € | 33,00 € |
| 500 - 1200 | 0,621 € | 31,05 € |
| 1250 + | 0,581 € | 29,05 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 165-6088
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHF634S-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | SiHF634S | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 450mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 74W | |
| Durchlassspannung Vf | 2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 41nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 9.65 mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie SiHF634S | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 450mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 74W | ||
Durchlassspannung Vf 2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 41nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.83mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 9.65 mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay SiHF634S Typ N-Kanal 3-Pin SIHF634S-GE3 TO-263
- Vishay SiHF840S Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Vishay SiHF840S Typ N-Kanal 3-Pin SIHF840STRL-GE3 TO-263
- Vishay SiHF630S Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Vishay SiHF9630S Typ P-Kanal 3-Pin TO-263
- Vishay SiHFBC30AS Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Vishay SiHF9630S Typ P-Kanal 3-Pin SIHF9630STRL-GE3 TO-263
- Vishay SiHFBC30AS Typ N-Kanal 3-Pin SIHFBC30AS-GE3 TO-263
