Vishay SIHF634S-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 8,1 A 74 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 815-2632
Herst. Teile-Nr.:: SIHF634S-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SIHF634S-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 8,1 A 74 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Preis pro Stück (In einer VPE à 10)

1,452 €

(ohne MwSt.)

1,728 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
10 - 90	1,452 €	14,52 €
100 - 240	1,365 €	13,65 €
250 - 490	1,234 €	12,34 €
500 - 990	1,162 €	11,62 €
1000 +	1,09 €	10,90 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 815-2632
Herst. Teile-Nr.:: SIHF634S-GE3
Marke:: Vishay

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	8,1 A
Drain-Source-Spannung max.	250 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	450 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	74 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	10.67mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	9.65mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	41 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	4.83mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C