Vishay SiHB068N60EF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 41 A 250 W, 3-Pin SIHB068N60EF-GE3 TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

19,53 €

(ohne MwSt.)

23,24 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 21. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 203,906 €19,53 €
25 - 453,32 €16,60 €
50 - 1203,124 €15,62 €
125 - 2452,93 €14,65 €
250 +2,812 €14,06 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
204-7244
Herst. Teile-Nr.:
SIHB068N60EF-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

41A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

SiHB068N60EF

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

68mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

51nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

9.65 mm

Länge

14.61mm

Höhe

4.06mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET Vishay Serie EF mit schneller Gehäusediode hat eine Technologie der 4. Generation der E-Serie. Sie hat geringere Schalt- und Leitungsverluste.

Lawinenenergie (UIS)

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Verwandte Links