Vishay SI4599DY-T1-GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 4,7 A; 6,8 A 3 W, 3,1 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 165-7255
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4599DY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N, P |
| Dauer-Drainstrom max. | 4,7 A; 6,8 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
| Gehäusegröße | SOIC |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 42,5 mΩ, 62 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V |
| Verlustleistung max. | 3 W, 3,1 W |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 11,7 nC @ 10 V, 25 nC @ 10 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Breite | 4mm |
| Länge | 5mm |
| Höhe | 1.55mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 165-7255
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4599DY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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