Vishay SI4599DY-T1-GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 4,7 A; 6,8 A 3 W, 3,1 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 165-7255
Herst. Teile-Nr.:: SI4599DY-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SI4599DY-T1-GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 4,7 A; 6,8 A 3 W, 3,1 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:: 165-7255
Herst. Teile-Nr.:: SI4599DY-T1-GE3
Marke:: Vishay

Si4599DY, N- and P-Channel 40V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N, P
Dauer-Drainstrom max.	4,7 A; 6,8 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Gehäusegröße	SOIC
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	42,5 mΩ, 62 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	1.2V
Verlustleistung max.	3 W, 3,1 W
Transistor-Konfiguration	Isoliert
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Breite	4mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	11,7 nC @ 10 V, 25 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	5mm
Höhe	1.55mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Vishay SI4599DY-T1-GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 4,7 A; 6,8 A 3 W, 3,1 W, 8-Pin SOIC

Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor

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