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    Infineon HEXFET IRLR8726PBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 86 A 75 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    Nicht mehr im Sortiment
    RS Best.-Nr.:
    165-7562
    Herst. Teile-Nr.:
    IRLR8726PBF
    Marke:
    Infineon

    Ursprungsland:
    MX
    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.86 A
    Drain-Source-Spannung max.30 V
    GehäusegrößeDPAK (TO-252)
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.8 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.2.35V
    Gate-Schwellenspannung min.1.35V
    Verlustleistung max.75 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Länge6.73mm
    Transistor-WerkstoffSi
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Breite7.49mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs15 nC @ 4,5 V
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    SerieHEXFET
    Diodendurchschlagsspannung1V
    Höhe2.39mm
    Betriebstemperatur min.–55 °C

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