Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 35 A 144 W, 3-Pin TO-220AB

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RS Stock No.:
165-7609
Mfr. Part No.:
IRFB4615PBF
Brand:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

35 A

Drain-Source-Spannung max.

150 V

Gehäusegröße

TO-220AB

Serie

HEXFET

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

39 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

144 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

26 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.83mm

Länge

10.67mm

Höhe

9.02mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

COO (Country of Origin):
MX

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