Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4.1 A 1.3 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 165-7766
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLML6246TRPBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
300,00 €
(ohne MwSt.)
360,00 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 21. September 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,10 € | 300,00 € |
| 6000 - 12000 | 0,098 € | 294,00 € |
| 15000 + | 0,095 € | 285,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 165-7766
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLML6246TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 66mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.3W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.04mm | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Breite | 1.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 66mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.3W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.04mm | ||
Höhe 1.02mm | ||
Breite 1.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 20 V maximale Drain-Source-Spannung, 4,1 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRLML6246TRPBF
Dieser MOSFET ist ein kompaktes N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für die Niederspannungsschaltung in oberflächenmontierten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und nimmt Gate-Treiber-Ebenen auf, die mit gängigen Steuerkreisen kompatibel sind. Das Gehäuse und die elektrischen Eigenschaften machen es für Platinen mit begrenztem Platzangebot geeignet, die eine effiziente Schaltleistung ohne hohe Anforderungen an die Leistungsaufnahme erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Maximale Ablass-Quellenspannung von 20 V ermöglicht Schaltanwendungen mit niedriger Spannung
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 4,1 A unterstützt moderate Lastströme
• Niedriger Einschaltwiderstand von 66 mΩ minimiert Leitungsverluste
• Die typische Gate-Ladung von 3,5 nC ermöglicht schnellere Schaltübergänge
• Maximale Verlustleistung von 1,3 W für begrenzte thermische Budgets
• Gate-Source-Toleranz von bis zu 12 V ermöglicht robuste Antriebsmargen
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 4,1 A unterstützt moderate Lastströme
• Niedriger Einschaltwiderstand von 66 mΩ minimiert Leitungsverluste
• Die typische Gate-Ladung von 3,5 nC ermöglicht schnellere Schaltübergänge
• Maximale Verlustleistung von 1,3 W für begrenzte thermische Budgets
• Gate-Source-Toleranz von bis zu 12 V ermöglicht robuste Antriebsmargen
Anwendungsbereich
• Geeignet für die Umschaltung des Batteriemanagements in tragbaren Systemen
• Ideal für Lastschaltvorgänge in Stromverteilungsmodulen
• Wird mit Gate-Treibern in Motorsteuerungs-Niederspannungsstufen verwendet
• Kann für synchrone Schaltvorgänge von DC/DC-Wandlern verwendet werden
• Geeignet für Signalpegel-Hochgeschwindigkeitsumschaltung in Steuerkreisen
• Ideal für Lastschaltvorgänge in Stromverteilungsmodulen
• Wird mit Gate-Treibern in Motorsteuerungs-Niederspannungsstufen verwendet
• Kann für synchrone Schaltvorgänge von DC/DC-Wandlern verwendet werden
• Geeignet für Signalpegel-Hochgeschwindigkeitsumschaltung in Steuerkreisen
Welche thermischen Extreme kann dieses Gerät im Betrieb tolerieren?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit großen Temperaturschwankungen.
Wie wirkt sich das Gehäuse auf das Leiterplatten-Layout und die Montage aus?
Das oberflächenmontierbare SOT-23-Format mit drei Stiften reduziert die Platinenfläche und unterstützt automatisierte Pick-and-Place- und Reflow-Prozesse.
Wie sieht das zu erwartende Verhalten bei höheren Gate-Spannungen aus?
Das Gerät begrenzt die Gate-Source-Nennspannung auf maximal 12 V, sodass die Gate-Antriebe innerhalb dieses Schwellenwerts bleiben sollten, um eine Gate-Oxidbelastung zu vermeiden.
Wie verhält sich das Gerät unter Dauerlast?
Der kontinuierliche Ablassstrom beträgt 4,1 A, während die Wärmeableitung auf 1,3 W begrenzt ist, sodass eine ausreichende Kupferfläche oder ein Kühlkörper erforderlich ist, um sichere Sperrschichttemperaturen aufrechtzuerhalten.
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23