Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 33 A 130 W, 3-Pin IRF540NLPBF TO-262
- RS Best.-Nr.:
- 165-8115
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF540NLPBF
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,445 € | 72,25 € |
| 100 - 200 | 1,156 € | 57,80 € |
| 250 - 450 | 1,084 € | 54,20 € |
| 500 - 950 | 1,012 € | 50,60 € |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 165-8115
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF540NLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 33A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-262 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 44mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 71nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 130W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 9.65mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.83 mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 33A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-262 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 44mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 71nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 130W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 9.65mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.83 mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon
Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
MOSFET-Transistoren, Infineon
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