onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 12.5 A 2.5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
166-1691
Herst. Teile-Nr.:
FDS6680A
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.7V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5mm

Höhe

1.5mm

Breite

4 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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