onsemi QFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 22 A 3.75 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 166-1751
- Herst. Teile-Nr.:
- FQB22P10TM
- Marke:
- onsemi
Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*
648,00 €
(ohne MwSt.)
768,00 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 800 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Begrenzter Lagerbestand
- 800 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 800 + | 0,81 € | 648,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 166-1751
- Herst. Teile-Nr.:
- FQB22P10TM
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 22A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | QFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 125mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 40nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -4V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.75W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.67mm | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Breite | 9.65 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 22A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie QFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 125mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 40nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -4V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.75W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.67mm | ||
Höhe 4.83mm | ||
Breite 9.65 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Kfz-P-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor
Unter dem Leitmotiv von Qualität, Sicherheit und Zuverlässigkeitsstandards stellt Fairchild Semiconductor Lösungen bereit, mit denen sich komplexe Herausforderungen in Kraftfahrzeugen meistern lassen.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.